赵德刚，中国科学院半导体研究所的研究员，他在实验室里几乎每天泡个不停，周围的人都对他的行踪了如指掌。20多年来，他一直坚守着一个领域——氮化镓，这是一种传统材料，但却是信息时代的基石。在这个朝阳产业中，他没有追求“高产”的新型材料，而是选择了钻研微薄弱点，克服种种困难。
他曾经深入研究过氮化镓材料的电子迁移率，因为这决定了材料性能。他发现，要做出高质量的氮化镓材料并非易事，关键是要找到影响电子迁移率的散射机制，并掌握减少散射中心数量的方法。通过独特的MOCVD外延技术，他最终成功地生长出了室温下电子迁移率超过1000平方厘米/伏特·秒的大质量氮化镓材料，这在国际上也是首屈一指。
然而，在激光器研制方面，他面临更大的挑战。他意识到碳杂质在p型氮化镓中扮演着“破坏者”的角色，因此他带领课题组进行了一系列系统性研究，最终掌握了抑制碳杂质、制备出高质量低温p型材料的手段。
赵德刚认为，解决问题需要实践。他说：“半导体研究应该立足国家需要，被国外牵着鼻子走不太容易形成自身特色、产生国内需要的研究成果。”他还强调理论学习和实践结合，是科学发展的一个重要途径。
赵德刚不仅自己持续钻研，还培养后辈，为国家半导体科技事业发展培养后备力量。这对于他来说，是一种回馈社会、实现个人价值的一种方式。
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